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China Develops GAA Transistors That Enable 3nm Node-Like Performance On DUV Lithography, But MEOL Constraints Only Provide A Path To 5nm Node-Equivalent Performance
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China Develops GAA Transistors That Enable 3nm Node-Like Performance On DUV Lithography, But MEOL Constraints Only Provide A Path To 5nm Node-Equivalent Performance
Chinese Academy of Sciences' new GAA transistors post on-off ratios above 500,000, but metal-connects still limit density gains.
Wccftech (wccftech.com)
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